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開關(guān)頻率高的現(xiàn)代功率半導體裝置容易受到潛在損壞性電壓峰值脈沖的影響。波涌電壓保護電容器（如EPCOSB32620-J或B32651.56）通過吸收電壓脈沖限制峰值電壓，從而保護半導體裝置，使波涌電壓保護電容器成為功率元件庫的重要組成部分。半導體裝置的額定電壓和電流值及其開關(guān)頻率是波涌電壓保護電容器的選擇。由于這些電容器具有陡峭的DV/DT值，薄膜電容器是該應(yīng)用程序的適當選擇。

在額定電壓值高達2000VDC的情況下，典型的電容額定值在470PF~47NF之間。對于IGBT等大功率半導體設(shè)備，電容值可高達2.2μF，電壓在1200VDC范圍內(nèi)。電容器不能僅僅根據(jù)電容值/電壓值來選擇。在選擇浪涌電壓保護電容器時，還應(yīng)考慮所需的DV/DT值。耗散因子決定了電容器內(nèi)部的功耗。因此，應(yīng)選擇損耗較低的電容器作為替換。